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RK3588 DDR 布线:等长与等延时

RK3588 DDR 布线:等长与等延时. 从电路、PCB 到验证,结合 AIM7、Sige7 和 LM7 理解 RK3588 硬件设计。

· ArmSoM Editorial · 1 分钟阅读

本文依据 RK3588 Hardware Design Guide V1.3(2023-02-13)中英文原稿整理,面向芯片主板和载板设计审查。AIM7、LM7 载板须遵循模块接口定义;Sige7 可作为软件与外设验证起点。芯片能力不等于板卡接口清单,SDK/BSP、内核、板卡版本及固件需逐项核对。数值为原稿参考,未经 ArmSoM 硬件实测。

RK3588 Hardware Design Guide V1.3 (2023-02-13), CN · §3.4.3

按叠层选择规则

10 层 HDI 是优先方案,LPDDR5 模板也使用它。内层信号按等长处理;8 层通孔 LPDDR4/4X 的表层、内层、过孔与封装传播不同,要按等延时。16ps 不是 16mil,不同材料不能沿用同一换算系数。模板、颗粒和 DDR 固件版本要一起记录。

建立字节组约束

LPDDR5 表 3-13:同 Byte 的 DQ/DM 相对 DQS/WCLK ≤25mil,地址控制相对 CLK ≤40mil,差分对内 ≤5mil。8 层 LPDDR4X 表 3-16 则给同 Byte ≤16ps、对内 ≤1ps。验收应包括训练日志、目标频率压力测试、温度与重复冷启动,一次开机不证明余量。

设计参数与检查表

项目 原稿参考值
LPDDR5 DQ/DM 阻抗 40Ω ±10%
LPDDR5 地址/控制 40–50Ω ±10%
LPDDR5 差分目标 80Ω ±10%; 原稿备选 90Ω ±10%
8 层 LPDDR4X 字节内偏差 ≤16ps

参考原图

下图为原稿参考页,包含对应电路图或时序图;点击可查看大图。位号和元件值属于参考设计,不是 ArmSoM 产品原理图。

RK3588 DDR 布线:等长与等延时 · 3-131

中文原稿 · PDF 236 · 3-131

RK3588 DDR 布线:等长与等延时 · table:3-13

中文原稿 · PDF 234 · table:3-13

ArmSoM 开发路径

AIM7 适合基于计算模块设计载板;LM7 面向 LGA 模块集成;Sige7 可用于开发前期的软件与外设评估。使用模块时先检查哪些电源、DDR 与启动电路已在模块内完成,不应把芯片参考电路重复放到载板上。实际连接器、可用接口、电平与系统支持以对应产品资料为准。

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