Rockchip · AI & Linux Hub

Разработка продукта

Трассировка DDR RK3588S: длина и задержка

Трассировка DDR RK3588S: длина и задержка. Схемы RK3588S, ограничения PCB и проверка с CM7S и Sige7S.

· ArmSoM Editorial · 2 мин чтения

Основа — китайский RK3588S Hardware Design Guide V1.2 (2023-12-14), для проверки схем и PCB. Носители CM7S проектируют по интерфейсам модуля; Sige7S подходит для оценки ПО и периферии. Возможности SoC не равны разъёмам платы. Проверяйте SDK/BSP, ядро, ревизию, прошивку и мультиплексирование. Значения взяты из источника, не из измерений ArmSoM.

RK3588S Hardware Design Guide V1.2 (2023-12-14), CN · §3.4.2.14

Используйте таблицы RK3588S

Таблицы 3-13, 3-14 и 3-15 в §3.4.2.14 относятся к LPDDR5, LPDDR4X и LPDDR4. Ограничения длины рассчитаны на внутренние слои 10-слойной HDI-платы. Не переносите правило 16ps для 8-слойной платы со сквозными отверстиями из другого руководства RK3588. DQ/DM: 45Ω, адрес/управление: 50Ω, пары: 90Ω, допуск ±10%.

Задайте байтовые группы и зазоры

Для LPDDR5 разница DQ/DM и DQS/WCLK внутри байта ≤25mil, адреса/управления и CLK ≤40mil, внутри пары ≤5mil, DQS/WCLK и CLK ≤200mil. Для LPDDR4X DQS–CLK ≤250mil. Между данными минимум две ширины трассы; до строба желательно три, минимум две. Проверяйте журналы обучения, температуру, нагрузку на целевой частоте и повторные холодные старты.

Параметры и проверочная таблица

Параметр Значение источника
Импеданс LPDDR5 DQ/DM 45Ω ±10%
Адрес/управление LPDDR5 50Ω ±10%
Дифференциальная цель LPDDR5 90Ω ±10%
Разница в байте DQ/DM ↔ DQS/WCLK: ≤25mil
Разница адресных линий ≤40mil
Разница внутри пары ≤5mil

Исходные рисунки

Соответствующее английское руководство для этой партии не найдено. Все четыре версии используют снимки китайского оригинала с локализованными подписями. Откройте изображение в полном разрешении; текст и таблицы можно копировать. Номера относятся к физическим страницам PDF.

Трассировка DDR RK3588S: длина и задержка · 3-85

Китайский оригинал · PDF 200 · 3-85

Трассировка DDR RK3588S: длина и задержка · 3-91

Китайский оригинал · PDF 203 · 3-91

Разработка с ArmSoM

CM7S подходит для собственного носителя: сначала определите встроенные питание, DDR и загрузку, затем проектируйте за пределами разъёмов. Sige7S служит базой оценки ПО и периферии. Для обоих изделий проверяйте вывод интерфейсов, контакты, уровни, образы и охлаждение по нужной ревизии. Схема SoC не является схемой подключения изделия.

Читайте далее

Другие статьи по теме → · Учебные маршруты →