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RK3576 FSPI 启动电路:NOR/NAND、电压与片选默认状态

RK3576 FSPI 启动电路:NOR/NAND、电压与片选默认状态. 电路、PCB 布线与验证检查,结合 CM5 和 Sige5 的开发路径。

· ArmSoM Editorial · 2 分钟阅读

本文基于 RK3576 Hardware Design Guide V1.1(2024-05-28)的中英文原稿,面向芯片主板设计。CM5 载板请以模块接口定义为准;Sige5 可用于建立软件和外设基线。指南没有限定一个可通用于所有产品的 SDK/BSP 或内核版本,实际适配需逐板核对。参数为原稿参考,不是 ArmSoM 实测。

RK3576_Hardware_Design_Guide_V1.1_20240528_CN.pdf · §2.1.10; FSPI PCB

先选控制器与整组复用

两组 FSPI 支持 NOR/NAND 和 SDR 1/2/4 线。FSPI0 与 eMMC 共享管脚,VCCIO0 只能是 1.8V。FSPI1_M0 位于 VCCIO1,M1 位于 VCCIO3,可按整个 IO 域选择 1.8V 或 3.3V。不能把不同复用组的 CLK、CS 和数据拼成一组。

上电时片选必须可靠

单线模式的 D2/D3 使用外部 10kΩ 上拉。FSPI1_M0 的 CSN 默认下拉,必须外部上拉:表格给出 2.2kΩ,正文给出 2.2kΩ/4.7kΩ,按当前参考 BOM 与时序确认。Flash 电源应与 IO 域一致,CS 随电源拉高。启动探测会改变 GPIO1_B0、GPIO1_C2 的上下拉,不宜把敏感使能信号接到这些脚。

时钟与可恢复性一起验证

CLK 预留 SoC 端 0Ω 串阻,布线按 50Ω 单端、时钟与数据差小于 200mil、总长小于 4inch 检查。保留独立 USB 恢复入口,测试空白 Flash、损坏镜像、擦写后掉电与正常冷启动,不能只验证一次成功下载。

设计参数与检查表

项目 原稿参考值
FSPI0 VCCIO0 = 1.8V
FSPI1_M0 / M1 VCCIO1 / VCCIO3
Z 50Ω ±10%
CLK ↔ DATA <200mil
走线长度 <4inch

参考原图

下图为原稿参考页,包含对应电路图或时序图;点击可查看大图。位号和元件值属于参考设计,不是 ArmSoM 产品原理图。

RK3576 FSPI 启动电路:NOR/NAND、电压与片选默认状态 · 2-24

中文原稿 · PDF 44 · 2-24

RK3576 FSPI 启动电路:NOR/NAND、电压与片选默认状态 · 2-25

中文原稿 · PDF 45 · 2-25

ArmSoM 开发路径

CM5 可用于定制载板,减少计算核心的重复设计;Sige5 可作为软件与外设验证起点。接口是否引出、连接器针脚、电平和镜像支持必须查对应板卡资料,不能从芯片功能直接推断。

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