# 088 SDMMC / SDIO / eMMC 校对记录

## 来源与处理边界

- 中文：`Rockchip_Developer_Guide_SDMMC_SDIO_eMMC_CN.pdf`，22 页，V1.4.0，RK-KF-YF-121；SHA256 `80ab6849a30ea45ef7495f8c27db21f7f090e12c22ffa75613dd9eef7d0e3fb3`。
- 英文：`Rockchip_Developer_Guide_SDMMC_SDIO_eMMC_EN.pdf`，25 页，V1.4.0，RK-KF-YF-121；SHA256 `e03a4f4b68282b112e7f9022c38f392c47e984633355b00c0aa5de3572d5b76b`。
- 版本相同，四大章及 14 个子节完全对应。中文按中文原稿，英文按英文原稿，俄文和德文完整翻译英文技术正文，不用英文占位。灰框中的步骤说明、速度说明、结果解释恢复为本地化可编辑正文/表格，命令与日志独立代码块；源码内部的英文注释、作者署名及提交标识保留。
- 移除封面日期/密级、免责声明、商标/版权声明段落、厂商联系信息、读者对象和修订记录；保留技术版本、产品范围表、技术提交历史。未修改原 PDF。
- 原文“全系列、4.4/4.19/5.10/6.1”作为来源范围保留，不解释为所有 ArmSoM 板卡均支持。未做硬件适配或实测，需核对具体板卡/SoC/BSP/内核/引脚、电压、存储与 WiFi 模组。

## 逐章覆盖与跨页核对

| 章节 | 中文页 | 英文页 | 核对范围 |
| --- | --- | --- | --- |
| 1 DTS 配置 | 4–7 | 5–8 | SDMMC 7 项、SDIO 10 项、eMMC 7 项；GPIO/power-sequence/pinctrl 完整代码 |
| 2 频率和模式切换 | 7–11 | 8–13 | 三条提交、SD/SDIO、eMMC、位掩码、CMD23/CQE/DCMD、caps/caps2 表 |
| 3 mmc_test | 11–15 | 13–17 | 内核菜单、7 步使用方法、4 类输出、N=0–51 全部 52 测试项目 |
| 4 常见问题 | 15–21 | 18–25 | SD/SDIO/eMMC 供电、全部 8 图、波形、6 类日志问题、JTAG 与漏电及最后 DTS 补丁 |

已视觉查看中文全部 22 页、英文全部 25 页（中文第 22 页为空白），不是仅凭提取行数判定完整。中文 4→5 页 regulator、20→21 页源码注释，英文 8→9 页提交、23→24 页 JTAG 补丁、24→25 页最后 DTS 补丁均连接为完整代码块。合并日志视觉折行和中文 diff 路径折行，不改变数值/命令含义。跨页 mmc_test 表保留全部行及本地化表头；硬件电压表从图片恢复为可编辑表并保留原图及注 1。

## 中英实质差异（已在对应正文/表格处标出）

1. CN p.6 §1.2 明确 `keep-power-in-suspend` 为“睡眠不断电”；EN p.7 写成 `sleep power-off`。各版不掩盖原文矛盾；EN/RU/DE 并列指出中文描述，实际行为需核对 BSP。
2. CN p.20 §4.4(1) 标题明确发生在 u-boot 下；EN p.23 标题省略。EN/RU/DE 已补来源注释，避免扩大语境。
3. mmc_test N26：CN p.14 说明写“顺序读”，英文 p.16 为写，测试名含 write。中文保留“读”并注明差异；其余按英文“写”并注明。
4. mmc_test N44：CN p.15 说明写“非阻塞写”，英文 p.17 为读，测试名含 read。中文保留“写”并注明差异；其余按英文“读”并注明。
5. 中文部分 eMMC 切换路径使用 `mmc0\:0001`，英文 §2.2 使用 `mmc0:0001`；均按各原稿保留，不强制逐字符统一中英源代码。英俄德的代码逐块完全一致。

## 保留的原文疑点（不能直接复制执行）

- CN p.4 / EN p.5：SDR12 上限写 24M；总述最大 150MHz 与后文平台 198MHz/200000000 示例存在范围差异。保留全部值，不提升为通用硬件结论。
- CN p.4 / EN p.6：定义 `sdmmc_pwren` 却在 pinctrl 引用 `sdmmc_pwr`。需按真实 DTS 查证，未改标识符。
- CN p.6 / EN p.7：`reset-gpios = <&gpio0 10GPIO_ACTIVE_LOW>;` 中 `10GPIO_ACTIVE_LOW` 在原页本身连写，不是提取漏空格。按源保留；另 `supports-SDIO` 大小写、`num-slots = <4>` 需核对 BSP binding。
- CN p.7 提交标题原文 `moodified`，英文 p.9 为 `modified`；提交 SHA 一致，按各源保留。
- CN p.10 / EN p.11：HS200 后切换 High speed 示例清除 caps bit1；不擅改位掩码，执行前按 `include/linux/mmc/host.h` 和实际补丁确认。
- CN p.10 / EN p.12：CMD23 开/关两行重复出现两遍，保留重复，不当作提取重复删除。
- mmc_test N7/N8：英文测试名 `Power of two` 与说明 `Even power` 不同；中文 N8 还写“偶次发”。保留源表描述；RU/DE 明示原名称是二的幂，未猜测替换内核行为。
- CN p.17 / EN p.19：VBAT_WL 原句“供电需打印 3.3v”/`needs to print 3.3v` 含疑似错字。中文保留，俄德标明原文措辞不清。
- CN p.18 写 `VCC_FLAHS`，英文 p.20 写 `VCC_FLASH`，中文原标识保留待核。
- CN p.19 `card-detect-delay` 示例结束符为全角 `｝`，英文 p.22 为 `}`；中文按原符号保留，不作为可直接编译的修复稿。
- CN p.21 / EN p.24–25：定义 `sdmmc0_idle_pins`，引用却是 `sdmmc0_idle_gpios`；保留不猜改，复制前必须按板级 DTS 核对。
- 供电分析先要求 VCC_SD/VCCIO_SD 一致，随后单列 SD3.0 的 1.8v 例外；不要脱离模式、电源域及芯片资料使用。48clk/48bit 是原文简述，不扩展为所有 SD/MMC 命令响应长度的规范。

## 图片

中文 8 张直接提取自中文 PDF p.15–18；英文 8 张直接提取自英文 PDF p.18–21。俄德逐个复用英文文章 URL。保留原始比例及全部可用图像范围，未生成替代示意图。图注/alt 按文章语言本地化。

两稿的部分电路截图本身已有裁切边界（WiFi 晶振截图底部 Note 被截断），未臆造截图外信息。英文 PDF 的示波器图原本含中文标注，实际使用该英文 PDF 原图并在适用说明披露；正文已完整解释时钟/命令颜色、48clk 及起始电平。电压组合原图表 199 共 2×3 数据格和 VCCQ 3.3V 不适用于 HS200/HS400 的注 1 全部恢复。

## 本地验证边界

四语 Markdown、全部 16 个原图和此记录实际写入仓库。原始 18 个技术标题保持对应，命令/参数、52 项测试与末节补丁完整；英俄德代码与图 URL 一致性由检查确认。使用现有 storage 分类、translation_key、顶栏切换和正文目录，不添加重复语言入口。

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